輸出電路由肖特基二極管，吸收電路，濾波器構成。為了紋波要求，采用二級濾波器。其中輸出1為主5V，與12V共地，另外一個5V的參考地與輸出1，2隔離?？紤]到多路輸出負載交叉調(diào)整問題，12V的參考疊加在5V輸出。這樣對于12V輸出，調(diào)整精度有所提高。因為規(guī)避了5V輸出上二極管正向壓降隨電流變化的影響?；趧討B(tài)穩(wěn)定性方面的考慮，12V輸出電容C8放置于5V輸出，這樣可以避免5V輸出大動態(tài)負載跳變時造成12V輸出不穩(wěn)定的情況。

       反饋電路由分壓網(wǎng)絡、補償網(wǎng)絡、TL431及光耦構成。補償部分由C10，C11和R10構成，其中R10與C10，C11分別構成兩個極點和零點對電流型反激進行補償。

      變壓器考慮尺寸，選用EE20-PC40磁芯。綜合占空比，選擇

      設計考慮：

      ICE3AR2280JZ的最大占空比為0.7，為了合理利用占空比以覆蓋超寬的電壓范圍，取反射電壓為150V。根據(jù)最低輸入電壓，滿載條件可知最大占空比為0.62。因此電感為：1.024mH
      選原邊匝數(shù)Np=72，副邊主5V匝數(shù)Ns1=3，芯片Vcc匝數(shù)Nvcc=8;考慮到輸出采用直流層疊的方式，故12V繞組圈數(shù)取4(12V繞組疊加于主5V輸出，而非5V繞組端)。變壓器結(jié)構如下：
      結(jié)語：

       通過測試可以看出：當CoolSET內(nèi)部MOSFET的Vds電壓達到550V左右時，電壓被TVS所鉗位;通過原邊電流的續(xù)流將外置MOSFET徹底關斷，從而使得整個關斷的電壓應力由兩個MOSFET串聯(lián)分擔。采用二級LC濾波后，輸出紋波為：24mV(5V)，79mV(12V)，20mV(隔離5V);交叉調(diào)整率方面可以在輸出不外加線性穩(wěn)壓器情況下實現(xiàn)10%以內(nèi)的交叉調(diào)整(》10%負載)。對于更高壓的設計，可以采用多個TVS串聯(lián)方式，以800VCoolSET和800VCoolMOS為例，最高耐壓可達1600V?？梢酝耆m應高壓輸入應用的要求。